专利名称：物理方法复合诱变矮生菜豆获得生育期延长突变株的方法

专利单位：黑龙江省原子能研究院

授权时间：2023.03.14

专 利 号：ZL202011366859.6

专利类型：发明专利

主要发明人：斯琴图雅、赵弘韬、孙培琳、关荣树、张丹丹、史岩

专利简介：物理方法复合诱变矮生菜豆获得生育期延长突变株的方法，本发明属于核农学领域，它为了解决矮生菜豆的鲜荚产量较低的问题。获得生育期延长突变株的方法：1.将矮生食荚菜豆的干种子放置在离子注入设备中进行氮离子注入，氮离子注入后的种子在田间栽培，获得M1代种子；2.对M1代种子进行⁶⁰Co-γ射线辐照处理，辐照处理后的种子在田间栽培，获得M2代种子；3.将M2代种子继续栽培，经表型筛选获得生育期延长突变株，获得生育期延长的菜豆突变株。本发明利用复合诱变方法能够获得生育期延长的菜豆突变种质。经N+离子注入与⁶⁰Co-γ射线辐照复合处理矮生菜豆，获得生育期延长突变株209株，生育期可延长10～50天。